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深度金选|快充时代第三代半导体独领风骚,弯道超车的障碍在哪里?


(资料图片仅供参考)

(原标题:深度金选|快充时代第三代半导体独领风骚,弯道超车的障碍在哪里?)

近期,国产 8 英寸碳化硅工艺节点加速跃迁,成本难题有望逐渐解锁,加之国产替代助推的形势下,国内第三代半导体产业当前最新进展到达什么地步?未来成长空间多大?

行业竞争日益激烈,产业链上哪些研发能力强、生产设备尖端的优质企业有望脱颖而出?

1、充电神器是怎么炼成的?

以碳化硅为代表的第三代半导体领域,是一个具有喷涌潜力的增量市场,尤其是新能源汽车产业如火如荼的当下,碳化硅正迎来全面爆发期。

相比于传统的硅基功率器件,碳化硅功率器件具备耐高压、耐高温、高频化等特性。因此,在实际应用中,碳化硅主要被应用于新能源汽车领域,可以令整车能耗更低、尺寸更小、行驶里程更长,能够很好解决新能源汽车“充电慢”以及“里程短”等问题,缓解新能源车里程焦虑问题。

以小鹏汽车为例,2022年小鹏汽车发布了全球首款搭载800V碳化硅车型G9,该车型电池电量从10%充至80%仅需15分钟,并且实现充电5分钟,续航超200公里。除此之外,理想、比亚迪(002594)、吉利等汽车厂商都采用碳化硅高电压充电的方式提升充电速度。

从产业链来看,SiC 产业链条较长,涉及衬底、外延、器件设计、器件制造和封测等一系列环节,其中,碳化硅衬底和外延片的价值量占比超过一半,衬底成本最大,占比达 47%;其次是外延成本占比为 23%,成为决定碳化硅器件品质的关键。

据方正证券(601901)测算,预计 2026 年全球 SiC 衬底有效产能为 330 万片,距同年 629 万片的衬底需求量仍有较大差距。在业内形成稳定且较高的良率规模化出货前,整个行业都将持续陷于供不应求。

具体来看,受新能源汽车及发电、电源设备、射频器件等需求驱动,2026 年碳化硅器件市场规模有望达 89 亿美元,其中用于新能源汽车和工业、能源的 SiC 功率器件市场规模为 60 亿美元,用于射频的 SiC 器件市场规模为 29 亿美元。

市场收益方面,TechInsights 表示,碳化硅市场收益在 2022 年至 2027 年期间将以 35% 的复合年增长率持续增长,到 2029 年,该市场规模将增长到 94 亿美元 ( 考虑各机构预测口径不同,2029 年有望超过 100 亿美元规模 ) ,其中中国将占一半。

正是在巨大的增长空间、盈利潜力驱使下,国内也涌现出一批碳化硅相应企业,积极规划碳化硅全产业链布局。其中,不少下游厂商反馈,车企正在加速导入国产碳化硅衬底、外延片,上下游厂商持续合作以共同改善良率,本土供应链的构建初具雏形。

8 英寸碳化硅衬底方面,据不完全统计,国内有十余家企业与机构正在研发,包含烁科晶体、晶盛机电(300316)、天岳先进、南砂晶圆、同光股份、天科合达、科友半导体、乾晶半导体、中科院物理所、山东大学等。赛微电子、三安光电(600703)、露笑科技(002617)等也有相关产能在投建中。

当前碳化硅市场呈现欧美日三足鼎立的局面,面对下游需求持续增长、碳化硅产品供不应求的形式,国内外厂商均在加速研发、扩产,垂直整合也成为碳化硅行业的主导趋势。

当前,碳化硅衬底行业高度集中,市场主要分为三大梯队,国内领军厂商起步较晚,但是正在冲刺第一梯队。据智研咨询统计,海外龙头企业寡头垄断,美国 Wolfspeeed 公司占据全球 60% 以上的市场份额,2015 年推出 8 英寸碳化硅衬底,位列市场第一梯队;

其他海外领军厂商如罗姆、II-VI、意法半导体等也相继开展衬底材料业务,到 2021 年已具备 8 英寸衬底的生产能力,海外领军厂商和我国衬底行业龙头企业加快产品研发,产品在国际上的市占率也在持续提升,处于第二梯队;

国内企业起步较晚,研发进度相比国外企业较慢,中小型衬底材料生产商技术处于借鉴和完善阶段,属于第三梯队。

2、弯道超车的障碍在哪里?

从技术进展来看,Wolfspeed、ROHM、英飞凌、ST 等国际碳化硅大厂已经纷纷迈入 8 英寸,并将量产节点提前到今年。国产碳化硅厂商基本以 6 英寸碳化硅晶圆为主,总体处于向 6 英寸加速实现量产、8 英寸布局研发的阶段,并逐渐退出 4 英寸市场。

一方面,大尺寸是碳化硅衬底制备技术的重要发展方向,6 英寸碳化硅晶片仍是市场主流产品,8 英寸衬底正在成为行业重要的技术演化方向。另一方面,进军 8 英寸衬底也被视为降低成本的关键之举。

实际上,第三代半导体材料也并不是毫无瑕疵,从碳化硅器件层面看,当前成本仍高于传统硅器件 3 到 5 倍。特别是今年 3 月份碳化硅“金主”特斯拉忍痛割爱,喊话未来减少 75% 碳化硅用量,被视为施压供应商意法半导体降低成本之举。

而相对于 6 英寸,8 英寸的面积增加了 78% 左右,由于边缘损耗减少,同等条件下从 8 英寸衬底切出的芯片数会提升将近 90%,因此,尺寸越大晶片的利用面积也越大。从产品使用效率上看,目前 6 英寸和 8 英寸的可用面积大约相差 1.78 倍,换言之,8 英寸制造将会在很大程度上降低碳化硅的应用成本。

从近期公司公告,国内多家厂商正在 " 破局 "8 英寸。

今年 5 月,天岳先进、天科合达签约英飞凌,供货碳化硅 6 英寸衬底、合作制备 8 英寸衬底;6 月,三安光电与意法半导体结盟升级,斥资 32 亿美元共建 8 英寸碳化硅外延、芯片合资代工厂,并计划通过三安光电全资子公司,投入 70 亿元建设年产 48 万片 / 年的 8 英寸碳化硅衬底;中电化合物也宣布与韩国 Power Master 签订了长期供应 8 英寸在内的碳化硅材料的协议,公司预计未来 3 年碳化硅产能将达到 8 万片。

尽管当前 8 英寸在快速发展,但实现量产的企业还只有 Wolfspeed。当前国内 8 英寸 SiC 晶圆量产面临较多的难点,比如衬底制备中 8 英寸籽晶的研制、大尺寸带来的温场不均匀、气相原料分布和输运效率问题、高温生长晶体内部应力加大导致开裂等,以及后续外延工艺、相关的设备发展等,均需要产业上下游紧密协同来攻克挑战。

不过,上述多项合作信息预示着,国内包括三安光电、天科合达、天岳先进在内,或已在推进 8 英寸碳化硅材料生产事宜。随着国内厂商获得国际功率半导体巨头青睐和结盟,积极追赶更为先进的 8 英寸工艺节点,考虑龙头企业规划,中电化合物的总经理潘尧波预计国产 8 英寸碳化硅将在 2025 年左右起量,国产厂商亦有望受益。

以上述提及的三安光电为例,大手笔投建碳化硅项目,无疑是基于广阔的市场前景。不过前景虽好,但是经营性“陷阱”也多。首先,碳化硅由于制造工艺复杂,杂质控制难度高,导致碳化硅生产良品率较低。目前,碳化硅良品率普遍在50%-60%之间。

其次,由于原材料昂贵、工艺复杂,碳化硅成本居高不下。一块6英寸碳化硅芯片是普通硅基芯片成本的2-3倍。正是出于降本考虑,特斯拉在3月份宣布下一代电动车将减少75%以上碳化硅用量。

一石激起千层浪,当日A股碳化硅芯片企业股价暴跌,碳化硅衬底企业天岳先进股价暴跌10%以上,三安光电当天跌幅也超过2%。因此,从技术路线来看,三安光电选择大手笔押注碳化硅芯片存在较大的不确定性。

总的来说,三安光电业务方向调整既立足于自身优势,同时又聚焦技术前沿需求和增长空间。传统LED芯片业务不景气,故而押注Mini LED,受广阔的市场前景吸引,进军第三代半导体碳化硅。


遗憾的是,近年来消费电子寒潮以及特斯拉宣布弃用碳化硅的重大利空,公司相关业务进度十分缓慢,业绩贡献有限,一定程度引发资本市场投资者担忧。目前来看,即便业绩持续下滑,三安光电市值仍接近800亿元以上,显然这得益于碳化硅芯片以及Mini LED芯片的成长空间,仅凭传统的LED芯片业务无法支撑高企的估值。

从当前热议的国产替代来看,三安光电碳化硅芯片仍处于早期发展阶段,其产能为1.5万片/月,仍与意法半导体等国际巨头存在较大差距,目前意法半导体市占率超过40%,远超三安光电。

另外,碳化硅核心零部件衬底技术仍由欧美国家掌握,国内天岳先进与国际巨头存在代差,由此可见,以三安光电为代表的第三代半导体企业要实现弯道超车,除了自身在技术、客户等维度不断强化之外,国内原材料供应链的国产化也是极其重要的一环。

当然,第三代半导体正处于发展初期,自然不可能无懈可击。价格相对高昂是第三代半导体产品最大的制约因素,不过随着各大供应商陆续扩大产能、加快技术研发,第三代半导体将有很大的成长空间,下游应用场景有望随产品单价下降而持续扩大。

(责任编辑:李显杰 )

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